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龙图腾网恭喜上海芯跳科技有限公司申请的专利一种稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111650988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010588257.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种稳压器是由杨从朔;尹喜珍设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳压器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种稳压器，属于电子领域。本发明的稳压器包括偏置电路、稳压电路和输出电路；稳压器能够在电源电压超过芯片预设稳定电压时，稳压器开始工作并实现稳压功能；当内部主供电电源正常工作时，该稳压器可辅助主供电电源输出电流，当片内主供电电源异常时，该稳压器提供稳定的电压以维持芯片内部数据不丢失。稳压器可在芯片内部主供电电源未开启的情况下为某些电路提供连续稳定的电压，避免芯片因内部主供电电源异常掉电或启动前数据丢失的情况。

本发明授权一种稳压器在权利要求书中公布了：1.一种稳压器，其特征在于，包括偏置电路、稳压电路、输出电路，其中：偏置电路包括第一输出端和第二输出端，所述偏置电路用于将输入电压转换为第一偏置电压信号和第二偏置电压信号；稳压电路包括第一输入端、第二输入端和第三输出端，所述第一输入端连接所述第一输出端，所述第二输入端连接所述第二输出端，所述稳压电路用于根据所述输入电压、所述第一偏置电压信号和所述第二偏置电压信号输出第一电压信号，所述稳压电路还包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极形成所述稳压电路的第一输入端，所述第三PMOS管的源极与电源端连接；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地；第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极形成所述稳压电路的第二输入端，所述第四NMOS管的源极接地；第六NMOS管，所述第六NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极连接；第二电阻，所述第二电阻的一端连接所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极，所述第二电阻的另一端与所述第六NMOS管的源极连接共同形成所述稳压电路的第三输出端；输出电路包括第三输入端、第四输入端和第四输出端，所述第三输入端连接所述第三输出端，所述第四输入端连接所述第二输出端，所述输出电路用于根据所述输入电压、所述第一电压信号和所述第二偏置电压信号生成第二电压信号，并输出所述第二电压信号，所述输出电路还包括：第五NMOS管，所述第五NMOS管的栅极形成所述输出电路的第四输入端，所述第五NMOS管的源极接地；第七NMOS管，所述第七NMOS管的栅极形成所述输出电路的第三输入端，所述第七NMOS管的漏极与电源端连接，所述第七NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接共同形成所述输出电路的第四输出端。

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