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龙图腾网恭喜湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010489155.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件是由李幸;曹佩;汪洋;金湘亮;董鹏设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，本发明通过在浅N阱中加入与阳极相连的N+注入区，器件反向导通时，与阴极形成寄生二极管，使得反向路径不必经过隔离环，静电倾向于从寄生二极管泄放，从而降低反向导通路径的导通电阻，可有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力；本发明的单向可控硅器静电释放器件具有低导通电阻的特点，可在有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力的同时实现高防护等级。

本发明授权一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件在权利要求书中公布了：1.一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底上方设有P型外延层，所述P型衬底与所述P型外延层之间设有N型埋层；所述N型埋层上方从左往右依次设有第一高压N阱和第二高压N阱；所述第一高压N阱上方设有第一深N阱，所述第二高压N阱上方设有第二深N阱；所述第一深N阱的左侧设有第一浅P阱，所述第一深N阱内右上方设有第一浅N阱，所述第一深N阱与第二深N阱之间设有第二浅P阱，所述第二深N阱上方设有第二浅N阱，所述第二深N阱右侧设有第三浅P阱；所述第一浅P阱中设有第一P+注入区；所述第一浅N阱中设有第一N+注入区；所述第二浅P阱中从左往右依次设有第二P+注入区和第二N+注入区，所述第二浅N阱中从左往右依次设有第三P+注入区和第三N+注入区；所述第三浅P阱中设有第四P+注入区；所述第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区和第四P+注入区连接在一起并作为器件的阴极；所述第一N+注入区、第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阳极。

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