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龙图腾网恭喜富士电机株式会社;三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039260.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由俵武志;水岛智教;松永慎一郎;竹中研介;武井学;土田秀一;村田晃一;小山皓洋;中山浩二;染谷满;米泽喜幸;木内祐治设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：碳化硅半导体装置60具有有源区51和配置于上述有源区51的外侧的终端结构部53。碳化硅半导体装置60具备第二导电型的半导体基板1、第二导电型的第一半导体层2、第一导电型的第二半导体层4、第二导电型的第一半导体区6、第一导电型的第二半导体区7、栅绝缘膜9、栅电极10、第一电极11和第二电极12。第二半导体层4的位于终端结构部53的端部T在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015cm3以下。

本发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，所述碳化硅半导体装置具有有源区和终端结构部，所述有源区供电流流通，所述终端结构部配置于所述有源区的外侧，并包括包围所述有源区的周围的边缘终端区以及包围所述边缘终端区的周围的到芯片的端部为止的区域，所述终端结构部形成有耐压结构，所述碳化硅半导体装置具备：第二导电型的半导体基板；第二导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的一个主面侧；第一导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的与所述半导体基板相反的一侧的表面；第二导电型的第一半导体区，其设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板相反的一侧的表面层；第一导电型的第二半导体区，其设置于所述第一半导体区的与所述半导体基板相反的一侧的表面层，且杂质浓度高于所述第二半导体层的杂质浓度；栅绝缘膜，其设置于所述第一半导体区的被所述第二半导体层与所述第二半导体区所夹的区域的表面上；栅电极，其设置于所述栅绝缘膜上；第一电极，其与所述第一半导体区和所述第二半导体区接触；以及第二电极，其设置于所述半导体基板的另一个主面侧，所述第一半导体层和所述第二半导体层设置为从所述有源区起延伸到所述终端结构部的所述芯片的端部为止，所述终端结构部的所述芯片的端部处的所述第二半导体层在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015cm3以下。

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