恭喜福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210531250.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由冯立伟设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器，衬底包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；所述衬底形成有多条且沿着第二预定方向延伸并穿过相应的有源区的位线结构，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；所述第二位线结构与所述有源区之间形成有金属硅化物层，通过所述金属硅化物层电性连接所述有源区与所述第二位线结构，由于所述金属硅化物层具有较低的电阻率，从而可以降低有源区与所述第二位线结构之间的接触电阻，进而了提高存储器的性能。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，包括若干沿第一预定方向延伸的有源区及用于分隔相邻的所述有源区的沟槽隔离结构；多条位线结构，位于所述衬底上，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；以及，金属硅化物层，位于所述第二位线结构与所述有源区之间，用于电性连接所述有源区与所述第二位线结构；所述位线结构包括位线导电层、位线遮蔽层及隔离侧墙，所述位线遮蔽层覆盖所述位线导电层的顶壁，所述隔离侧墙至少覆盖所述位线导电层及所述位线遮蔽层，且所述隔离侧墙与所述金属硅化物层及所述沟槽隔离结构均直接接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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