恭喜上海安微电子有限公司杨朔获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海安微电子有限公司申请的专利一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111261726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010220318.6,技术领域涉及:H10D8/60;该发明授权一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法是由杨朔设计研发完成,并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明的主要目的为提供一种多层结构基片的台面肖特基势垒二极管及其制备方法,此方法采用硅‑铝‑硅键合的单晶片替代成本高的外延片,降低成本。全制造过程采用低温工艺,采用台面终端保护,用聚酰亚胺来保护台面,即达到高压效果,又减少了材料成本。本发明可得到低成本的肖特基势垒二极管,与传统二极管结构相比,本发明二极管成本更低,应用范围更为广泛。
本发明授权一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:以硅-铝-硅型半导体单晶片为基片,在其上形成势垒层,再形成金属阳极,边缘造型为台面结构,以聚酰亚胺进行台面保护;所述肖特基势垒二极管采用的基片为三层结构,中间为金属铝,上下为单晶硅;芯片边缘造型为台面型,台面的深度深过芯片层和铝层。
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