恭喜三星电子株式会社韩正勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910874908.8，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体装置是由韩正勋;金东完;金东浩;徐在源设计研发完成，并于2019-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和所述芯片区域周围的边缘区域；下绝缘层，其位于所述半导体衬底上；芯片焊盘，其位于所述芯片区域上的所述下绝缘层上；上绝缘层，其位于所述下绝缘层上以覆盖所述芯片焊盘，所述上绝缘层包括与所述下绝缘层不同的绝缘材料；和再分布芯片焊盘，其位于所述芯片区域上以穿透所述上绝缘层并连接到所述芯片焊盘，其中所述上绝缘层包括：第一部分，其位于所述芯片区域上并具有第一厚度；第二部分，其位于所述边缘区域上，所述第二部分从所述第一部分延伸并具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及第三部分，其位于所述边缘区域上，所述第三部分从所述第二部分延伸、与所述第一部分间隔开，并且具有随着远离所述第二部分而减小的厚度，其中所述上绝缘层的第三部分具有圆形侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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