买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910717464.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其制造方法是由杨庆荣;陈宪伟;陈明发设计研发完成，并于2019-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。第一半导体衬底包括位于第一半导体衬底中的多个第一半导体装置。第一内连结构设置在第一半导体衬底之上且电耦合到第一半导体装置。第一导电垫设置在第一内连结构之上且电耦合到第一内连结构。第一介电层覆盖第一导电垫及第一内连结构且第一介电层包括延伸穿过第一导电垫的一部分。第一导电连接件设置在第一内连结构上且电耦合到第一内连结构且第一导电连接件延伸穿过第一介电层的所述部分。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：第一半导体衬底，包括位于所述第一半导体衬底中的多个第一半导体装置；第一内连结构，设置在所述第一半导体衬底之上且电耦合到所述第一半导体装置；第一导电垫，设置在所述第一内连结构之上且电耦合到所述第一内连结构；第一介电层，覆盖所述第一导电垫及所述第一内连结构，所述第一介电层包括延伸穿过所述第一导电垫的一部分；第一导电连接件，设置在所述第一内连结构上且电耦合到所述第一内连结构，所述第一导电连接件延伸穿过所述第一介电层的所述部分；第二半导体衬底，包括位于所述第二半导体衬底中的多个第二半导体装置；第二内连结构，设置在所述第二半导体衬底之上且电耦合到所述第二半导体装置；第二导电垫，设置在所述第二内连结构之上且电耦合到所述第二内连结构；第二介电层，覆盖所述第二导电垫及所述第二内连结构，所述第二介电层接合到所述第一介电层；以及第二导电连接件，设置在所述第二内连结构上且电耦合到所述第二内连结构，所述第二导电连接件接合到所述第一导电连接件且朝所述第二导电垫延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。