恭喜意法半导体法国公司P·加利获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体法国公司申请的专利适用于在变温环境下操作的集成电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110556372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910475230.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权适用于在变温环境下操作的集成电子器件是由P·加利;R·勒蒂克设计研发完成，并于2019-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用于在变温环境下操作的集成电子器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及适用于在变温环境下操作的集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅SOI衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极漏极区域，其具有电阻部分；第一端子，其耦合到第一电压例如，参考电压并且形成在源极漏极区域中和电阻部分的第一侧上；以及第二端子，其生成代表集成电子器件的温度的电压，该第二端子形成在源极漏极区域中和电阻部分的第二侧上。调整电路将调整电压生成为具有取决于控制电压和第二端子所生成的电压的值。
本发明授权适用于在变温环境下操作的集成电子器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电子器件，包括：绝缘体上硅衬底，至少一个MOS晶体管，被形成在所述绝缘体上硅衬底中和所述绝缘体上硅衬底上；其中所述至少一个MOS晶体管包括：栅极区域，被配置为接收控制电压；背栅极，被配置为接收调整电压；源极或漏极区域，具有电阻部分；第一端子，被配置为被耦合到第一电压，并且被形成在所述源极或漏极区域中、以及所述源极或漏极区域的所述电阻部分的第一侧上；以及第二端子，被配置为生成表示所述集成电子器件的温度的电压，所述第二端子被形成在所述源极或漏极区域中、以及所述源极或漏极区域的所述电阻部分的第二侧上；以及调整电路，被配置为将所述调整电压生成为具有取决于所述控制电压和由所述第二端子生成的所述电压的值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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