买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜常州瀚镓半导体有限公司申请的专利一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510170860.8，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法是由汪鹏超;王文申设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器芯片的腔面镀膜技术领域，尤其涉及一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法，包括S001、对半导体激光器芯片解理成巴条，然后用专门夹具固定好转入到电子回旋共振镀膜设备中抽真空；S002、开启自动清洗镀膜程序，待真空抽至要求值时，电子回旋共振离子源自动对芯片的腔面进行等离子体预清洗处理；S003、镀完第一层保护膜Si层后，将激光器芯片夹具转入到电子束蒸发镀膜设备平台继续抽真空；本发明提供的半导体激光器芯片腔面镀膜方法，利用电子回旋技术对半导体激光器进行清洗，利用电子束蒸发镀膜设备蒸镀高增透膜和高反射率膜，整个镀膜过程中无需高温加热，可有效避免高温导致的激光器芯片电极退化，效率降低等问题。

本发明授权一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜方法，其特征在于，包括：S001、对半导体激光器芯片解理成巴条，然后用专门夹具固定好转入到电子回旋共振镀膜设备中抽真空；S002、开启自动清洗镀膜程序，待真空抽至要求值时，电子回旋共振离子源自动对芯片的腔面进行等离子体预清洗处理，然后再在激光器芯片的腔面镀保护层第一Si层；步骤中芯片的腔面为半导体激光器的出光腔面和背光腔面；S003、镀完第一层保护膜Si层后，将激光器芯片夹具转入到电子束蒸发镀膜设备平台继续抽真空；S004、开启自动镀膜程序，真空抽至2.6E-05Pa时，温度加热至150℃，保温60分钟以上；电子束蒸发镀膜设备自动在芯片的出光腔面镀高增透膜系，高透膜系包括依次镀在出光腔面的第一Si层，镀在Si层上的Al2O3层Si层Al2O3层；镀完高透膜后设备自动进行翻面操作，设备继续在背光腔面镀高反射膜系，高反射膜系包括依次镀在背光腔面的第一Si层，镀在Si层上的Al2O3层Si层Al2O3层Si层Al2O3层；镀膜完成后设备自动泄气降温至室温，完成半导体激光器芯片腔面镀膜过程；所述S004中，电子束蒸发镀膜设备镀高增透膜系的过程为：对膜料Al2O3和Si预熔，离子源助镀Ar流量为20sccm，离子源阳极电压为100V，阳极电流为3A，阴极电流22A，依次蒸镀Al2O3层Si层Al2O3层，完成高增透膜系蒸镀；所述S004中，镀高反射膜系的过程为：对膜料Al2O3和Si预熔，离子源助镀Ar流量为20sccm，离子源阳极电压为100V，阳极电流为3A，阴极电流22A，依次蒸镀Al2O3层Si层Al2O3层Si层Al2O3层，完成高反射膜系蒸镀；所述S004中，Al2O3薄膜蒸镀速率为3AS，Si薄膜蒸镀速率为1.2AS。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人常州瀚镓半导体有限公司，其通讯地址为：213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区淹城南路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。