恭喜湖北星辰技术有限公司王逸群获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北星辰技术有限公司申请的专利一种晶圆临时键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157242.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆临时键合方法是由王逸群;王梦婷设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆临时键合方法在说明书摘要公布了：一种晶圆临时键合方法，涉及微电子技术领域。该方法包括：在承载晶圆的键合面设置第一键合胶层；在器件晶圆的键合面沉积牺牲层；在牺牲层的表面设置第二键合胶层；通过第一键合胶层和第二键合胶层将承载晶圆和器件晶圆键合；在键合后的器件晶圆上进行加工后，将器件晶圆、牺牲层连同第二键合胶层与承载晶圆分离；在第二键合胶层开设多个贯通孔，以露出牺牲层的表面；经贯通孔蚀刻、侧掏牺牲层，以清除第二键合胶层。上述方法能够高效去除器件晶圆表面的临时键合胶，提高了临时键合胶的去除效率以及产品良率。
本发明授权一种晶圆临时键合方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆临时键合方法，其特征在于，所述方法包括：在承载晶圆的键合面设置第一键合胶层；在器件晶圆的键合面沉积牺牲层；在所述牺牲层的表面设置第二键合胶层；通过所述第一键合胶层和所述第二键合胶层将所述承载晶圆和所述器件晶圆键合；在键合后的所述器件晶圆上进行加工后，将所述器件晶圆、所述牺牲层连同所述第二键合胶层与所述承载晶圆分离；在所述第二键合胶层开设多个贯通孔，以露出所述牺牲层的表面；经所述贯通孔蚀刻、侧掏所述牺牲层，以清除所述第二键合胶层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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