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恭喜苏州领慧立芯科技有限公司王汉卿获国家专利权

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龙图腾网恭喜苏州领慧立芯科技有限公司申请的专利一种低噪声可编程放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119582773B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510112498.9,技术领域涉及:H03F1/26;该发明授权一种低噪声可编程放大器是由王汉卿;刘银才设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低噪声可编程放大器在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路设计技术领域,具体公开一种低噪声可编程放大器,包括:第一全差分放大器,包括两对差分输入端;第二全差分放大器,包括一对差分输入端,通过级间斩波开关与第一全差分放大器电连接;一对输入斩波开关,每个输入斩波开关的输入端与差分输入信号电连接;一对输出斩波开关,每个输出斩波开关的输出端与第二全差分放大器的输出端电连接;输入电容网络,位于一对输入斩波开关与两对差分输入端之间;反馈电容网络,位于一对输出斩波开关与两对差分输入端之间;多个调零开关,位于第一全差分放大器的输入输出之间。本发明第一全差分放大器内部的两个跨导放大器共享同一电流,整体跨导较单对差分输入增加一倍,降低了放大器的噪声。

本发明授权一种低噪声可编程放大器在权利要求书中公布了:1.一种低噪声可编程放大器,其特征在于,包括:第一全差分放大器,包括两对差分输入端;第二全差分放大器,包括一对差分输入端,该对差分输入端经级间斩波开关与所述第一全差分放大器的差分输出端电连接;一对输入斩波开关,每个输入斩波开关的一对输入端与一对差分输入信号电连接;一对输出斩波开关,每个输出斩波开关的一对输出端与所述第二全差分放大器的差分输出端电连接;输入电容网络,位于所述一对输入斩波开关的输出端与所述两对差分输入端之间;反馈电容网络,位于所述一对输出斩波开关的输入端与所述两对差分输入端之间;多个调零开关,位于所述第一全差分放大器的输入输出之间,以及所述反馈电容网络的输入输出端与共模电压之间;所述第一全差分放大器的输入级包括:第一电流源,输入端与电源电连接;一对PMOS输入管,其中的两个PMOS输入管的源极均与所述第一电流源的输出端电连接,栅极作为所述两对差分输入端中的第二对差分输入端;一对PMOS负载管,其中的两个PMOS负载管的栅极相互电连接,且该栅极施加的电压为第一偏置电压,第一个PMOS负载管的源极与所述一对PMOS输入管中的第一个PMOS输入管的漏极电连接,第二个PMOS负载管的源极与所述一对PMOS输入管中的第二个PMOS输入管的漏极电连接;一对NMOS负载管,其中的两个NMOS负载管的栅极相互电连接,且该栅极施加的电压为第二偏置电压,第一个NMOS负载管的漏极与所述第一个PMOS负载管的漏极电连接,第二个NMOS负载管的漏极与所述第二个PMOS负载管的漏极电连接;一对NMOS输入管,其中的两个NMOS输入管的栅极作为所述两对差分输入端中的第一对差分输入端,第一个NMOS输入管的漏极与所述第一个NMOS负载管的源极电连接,第二个NMOS输入管的漏极与所述第二个NMOS负载管的源极电连接;第二电流源,输入端共同电连接所述两个NMOS输入管的源极,输出端与地电连接;所述第一个NMOS负载管的漏极、第二个NMOS负载管的漏极作为该输入级的差分输出端与所述第一全差分放大器的主放大级的差分输入端电连接,或者,所述第一全差分放大器的输入级包括:第一电流源,输入端与电源电连接;一对PMOS输入管,其中的两个PMOS输入管的源极均与所述第一电流源的输出端电连接,栅极作为所述两对差分输入端中的第二对差分输入端;一对NMOS输入管,其中的两个NMOS输入管的栅极作为所述两对差分输入端中的第一对差分输入端,第一个NMOS输入管的漏极与所述两个PMOS输入管中的第一个PMOS输入管的漏极电连接,第二个NMOS输入管的漏极与所述两个PMOS输入管中的第二个PMOS输入管的漏极电连接;第二电流源,输入端共同电连接所述两个NMOS输入管的源极,输出端与地电连接;所述第一个NMOS输入管的漏极、第二个NMOS输入管的漏极作为该输入级的差分输出端与所述第一全差分放大器的主放大级的差分输入端电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州领慧立芯科技有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园G2-1201单元;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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