买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510106379.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件是由宋聪强;施平设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件。制备方法包括：提供半导体衬底；半导体衬底包括浅沟槽隔离区域、以及被浅沟槽隔离区域定义出的有源区；其中，浅沟槽隔离区域的表面形成有与有源区的表面相接的凹坑；凹坑具有自凹坑底部向凹坑远离有源区一侧的顶部延伸的上升面；在半导体衬底上制作伪栅极结构；伪栅极结构包括与浅沟槽隔离区域接触的功能层和层叠在功能层上的伪栅极材料层；其中，功能层与浅沟槽隔离区域之间具有接触面，且接触面与凹坑的上升面不重叠，或，凹坑的上升面被接触面完全覆盖；对应伪栅极结构的位置，制备形成栅极结构。如此，可以减少制备工艺中出现的功能层缺失及有源区损伤。

本发明授权半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底包括浅沟槽隔离区域、以及被所述浅沟槽隔离区域定义出的有源区；其中，所述浅沟槽隔离区域的表面形成有与所述有源区的表面相接的凹坑；所述凹坑具有自凹坑底部向所述凹坑远离有源区一侧的顶部延伸的上升面；在所述半导体衬底上制作伪栅极结构；所述伪栅极结构包括与所述浅沟槽隔离区域接触的功能层和层叠在所述功能层上的伪栅极材料层；其中，所述功能层与所述浅沟槽隔离区域之间具有接触面；所述接触面与所述凹坑的上升面不重叠，或，所述凹坑的上升面被所述接触面完全覆盖；在所述伪栅极结构两侧形成第一侧墙；其中，所述功能层的两侧分别被所述第一侧墙覆盖；在所述第一侧墙远离伪栅极结构的侧面形成第二侧墙；所述第一侧墙和第二侧墙构成栅极侧墙；去除所述伪栅极材料层，在所述伪栅极结构两侧的栅极侧墙之间形成沟槽；对应所述沟槽的位置，制备形成栅极结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。