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龙图腾网恭喜西安龙飞电气技术有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081069.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法是由温建功;曹琳;杨乐;郑丽君设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括：源极金属、碳化硅结构、N‑型第二碳化硅外延层、层间绝缘介质、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、N+型第一源区、第二N型掺杂区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化硅外延层至第一P型掺杂区和第二P型掺杂区内，外侧被P型源区包围，内部有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层并淀积有多晶硅作为栅极，栅氧化层底部与周期性排列的第一P型掺杂区、第一N型掺杂区和N+型第一源区接触，栅氧化层底部与周期性排列的第二N型掺杂区接触。可保护栅氧化层，降低拐角处栅氧化层的电场强度和降低碳化硅MOSFET器件的导通电阻。

本发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述碳化硅MOSFET器件包括从下到上依次设置的碳化硅结构、N-型第二碳化硅外延层和层间绝缘介质；所述碳化硅结构的顶层区域设置有周期性排列的第一周期性结构和第二周期性结构，所述第一周期性结构包括第一N型掺杂区、N+型第一源区和第一P型掺杂区，所述第二周期性结构包括第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；P型体区，形成于所述N-型第二碳化硅外延层的中间顶层区域，N+型第二源区，形成于所述P型体区的中间顶层区域；源极沟槽，形成于所述N-型第二碳化硅外延层的两侧区域内，所述源极沟槽贯穿所述N-型第二碳化硅外延层下端并延伸至所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区内，所述源极沟槽的外侧设置有P型源区，所述源极沟槽的内部设置有源极金属；栅极沟槽从所述N+型第二源区的上表面中间区域向下延伸，并依次贯穿所述N+型第二源区、所述P型体区、所述N-型第二碳化硅外延层到所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区内，所述栅极沟槽的内部设置有栅氧化层，并淀积多晶硅作为栅极，所述栅氧化层的下表面与部分第一P型掺杂区、部分第一N型掺杂区和部分N+型第一源区接触，或者，所述栅氧化层的下表面与部分第二N型掺杂区接触。

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