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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种红光LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000123.3，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种红光LED外延片及其制备方法是由王苏杰;董耀尽;林晓珊;杨祺;宁如光设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红光LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红光LED外延片及其制备方法。该红光LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、抗氧化DBR反射层、N型限制层、N面微应变层、N侧空间层、多量子阱有源层、P侧空间层、P面微应变层、P型循环掺杂限制层、P型过渡层、P型窗口层。本发明将常规DBR反射层材料调整为抗氧化DBR反射层、在P型限制层中引入Al0.5In0.5P:CAl0.5In0.5P:Mg周期性循环掺杂结构等，可有效解决常规红光LED在高温高湿环境或大电流情况下光效衰减、亮度衰减等问题，得到的红光LED外延片光效稳定性好、可靠性高，适用性广。

本发明授权一种红光LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红光LED外延片，其特征在于，所述红光LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、抗氧化DBR反射层、N型限制层、N面微应变层、N侧空间层、多量子阱有源层、P侧空间层、P面微应变层、P型循环掺杂限制层、P型过渡层、P型窗口层；所述抗氧化DBR反射层为AlAsAlx1Ga1-x1As交替生长的周期性循环结构，且每对周期性循环结构中AlAs采用SiTe共同掺杂，Alx1Ga1-x1As采用Si掺杂，其中x1的取值范围为0.4～0.6；所述P型循环掺杂限制层的材料为Al0.5In0.5P，循环掺杂方式为先有机掺杂后金属掺杂，形成由Al0.5In0.5P:CAl0.5In0.5P:Mg交替生长组成的周期性循环掺杂结构，循环对数为10对～15对；所述N面微应变层和P面微应变层的材料均为AlGaInP，且均为非掺杂，Al源材料的摩尔量为x，Ga源材料的摩尔量为y，其中x与y的总摩尔量x+y为140μmol～150μmol，且y=a*x，系数a为0.07。

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