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龙图腾网恭喜江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种浮动电源电压检测电路及其检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119355570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411897664.2，技术领域涉及：G01R31/40；该发明授权一种浮动电源电压检测电路及其检测方法是由王发刚;庄华龙设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮动电源电压检测电路及其检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮动电源电压检测电路及其检测方法，包含PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3和齐纳二极管Z1。本发明得到的检测电压与MOS管的栅源电压VGS无关，同时消除了BST和SW对检测电压的噪声耦合问题，提高了浮动电源电压检测的精度。

本发明授权一种浮动电源电压检测电路及其检测方法在权利要求书中公布了：1.一种浮动电源电压检测电路，其特征在于：包含PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3和齐纳二极管Z1，PMOS管MP1的源极和PMOS管MP3的源极连接高侧浮动电压BST，PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP3的栅极、PMOS管MP1的漏极和PMOS管MP2的源极连接，PMOS管MP3的漏极与PMOS管MP4的源极连接，PMOS管MP2的栅极与PMOS管MP4的栅极、PMOS管MP2的漏极和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端连接浮动地SW，PMOS管MP4的漏极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与齐纳二极管Z1的阴极、NMOS管MN1的漏极、NMOS管MN1的栅极、NMOS管MN2的栅极、电容C1的一端和电阻R3的一端连接，NMOS管MN1的源极与NMOS管MN2的漏极连接，电阻R3的另一端与电容C2的一端、NMOS管NM4的栅极和NMOS管MN3的栅极连接，NMOS管MN4的漏极与NMOS管MN3的源极连接，NMOS管MN3的漏极与PMOS管MP6的漏极、PMOS管MP6的栅极和PMOS管MP8的栅极连接，PMOS管MP8的漏极与PMOS管MP9的源极连接并输出检测电压Vsns，PMOS管MP9的栅极与PMOS管MP9的漏极和电阻R4的一端连接，PMOS管MP6的源极与PMOS管MP5的漏极、PMOS管MP5的栅极和电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与电容C3的一端和PMOS管MP7的栅极连接，PMOS管MP8的源极与PMOS管MP7的漏极连接，PMOS管MP5的源极、电容C3的另一端和PMOS管MP7的源极连接电源VCC，齐纳二极管Z1的阳极、NMOS管MN2的源极、电容C1的另一端、电容C2的另一端、NMOS管MN4的源极和电阻R4的另一端接地。

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