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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119339776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885655.1，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质是由黎美玲设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质。本发明获取静态随机存取存储器的测试数据，提取各芯片的测试电压；然后对测试电压进行格式转换；对格式转换后测试电压利用曲线拟合插值获取第一拟合曲线和第二拟合曲线，对第一拟合曲线和第二拟合曲线获取拟合曲线交点，然后计算交点左侧和右侧曲线上的最大正方形边长，进而判断静态随机存取存储器的读取静态噪声容限。本发明利用曲线拟合插值和插值操作，能够更准确地确定RSNML和RSNMR值，减少对工程师经验的依赖，降低估值误差。本发明在自动化、准确性、效率和可靠性方面都有显著提升，为SRAM设计和测试领域提供了一种新的高效工具。

本发明授权静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法、计算设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器的读取静态噪声容限测量方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、获取静态随机存取存储器的测试数据，提取各芯片的测试电压；然后对测试电压进行格式转换；步骤S2、对格式转换后测试电压利用曲线拟合插值获取光滑拟合曲线，具体是：S2-1、基于格式转换后测试电压，对每个芯片提取正向输入端电压和反向输入端电压，并分别进行等差函数处理，得到两组等差数列x1、x2；S2-2、对上述两组等差数列x1、x2分别进行三次样条插值操作，获得两组插值后数列y1、y2；S2-3、以等差数列x1为横坐标，数列y1为纵坐标，获得平滑的第一拟合曲线；以等差数列x2为横坐标，数列y2为纵坐标，获得平滑的第二拟合曲线；步骤S3、对第一拟合曲线和第二拟合曲线获取拟合曲线交点，进而计算交点左侧和右侧曲线上的最大正方形边长，交点左侧曲线上的最大正方形边长为RSNML参数，交点右侧曲线上的最大正方形边长为RSNMR参数；具体是：S3-1、对第一拟合曲线和第二拟合曲线获取它们的交点，并获取交点坐标；S3-2、在等差数列x1、x2中分别查找与交点坐标重合的对应测试电压索引位置p1和p2；S3-3、根据交点以及索引位置p1、p2，计算得到每个芯片的交点左侧和右侧曲线上的最大正方形边长，交点左侧曲线上的最大正方形边长为RSNML参数，交点右侧曲线上的最大正方形边长为RSNMR参数；步骤S3-3中RSNML参数的计算过程具体是：在第一拟合曲线中，计算等差数据x1中位于索引位置p1前的元素的对应数组差值并做倒序排序，得到第一数组a_p1;对数组a_p1的每个元素取负值，然后进一步做累加求和处理，得到第二数组b_p1;遍历第二数组b_p1，并利用45度直线的偏置求解，45度直线扫描求取索引位置p1前由第一拟合曲线和第二拟合曲线构成的封闭曲线内最大正方形对角长度，最后进一步求取最大正方形边长；步骤S3-3中RSNMR参数的计算过程具体是：在第二拟合曲线中，计算等差数据x2中位于索引位置p2后的元素的对应数组差值并做倒序排序，得到第三数组a_p2;对数组a_p2每个元素取负值，然后进一步做累加求和处理，得到第四数组b_p2;遍历第四数组b_p2，并利用45度直线的偏置求解45度直线扫描求取索引位置p2后由第一拟合曲线和第二拟合曲线构成的封闭曲线内最大正方形对角长度，最后进一步求取最大正方形边长；步骤S4、根据RSNML参数和RSNMR参数判断静态随机存取存储器的读取静态噪声容限。

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