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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利用于MOSFET的自适应电压调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119010807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411480501.4，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权用于MOSFET的自适应电压调节方法是由谢刚;徐显修设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于MOSFET的自适应电压调节方法在说明书摘要公布了：本发明公开了用于MOSFET的自适应电压调节方法，涉及半导体器件控制技术领域。所述方法包括：监测信号放大电路的第一待放大信号，识别信号特征；检测信号放大电路中MOSFET的元件状态信息；将信号特征和元件状态信息输入增益自适应匹配模块中，获取增益匹配结果；若增益匹配结果为匹配通过，不激活偏置电路；若增益匹配结果为匹配不通过，激活偏置电路，根据增益自适应匹配模块进行自适应反馈分析，获取自适应栅极电压，对MOSFET的栅极进行电压调节。解决了现有技术中MOSFET信号放大电路难以适应动态变化的信号特征，导致信号放大质量较低的技术问题，通过动态调节栅极电压，达到了提高信号放大质量的技术效果。

本发明授权用于MOSFET的自适应电压调节方法在权利要求书中公布了：1.用于MOSFET的自适应电压调节方法，其特征在于，所述方法包括：监测信号放大电路的第一待放大信号，识别信号特征，包括信号幅度、信号频率和信号增益；检测所述信号放大电路中MOSFET的元件状态信息，其中，所述第一待放大信号通过所述MOSFET进行信号放大；将所述信号特征和所述元件状态信息输入增益自适应匹配模块中，获取增益匹配结果，方法包括：所述增益自适应匹配模块根据所述信号特征，获取目标增益；所述增益自适应匹配模块根据所述元件状态信息进行增益预测，获取预测增益；通过比对所述目标增益和所述预测增益，若所述目标增益和所述预测增益的增益误差小于预设阈值，匹配通过；若所述目标增益和所述预测增益的增益误差大于预设阈值，匹配不通过；所述元件状态信息包括栅极电压、漏极电流、温度；其中，所述增益匹配结果包括匹配通过和匹配不通过；若所述增益匹配结果为匹配通过，不激活偏置电路；若所述增益匹配结果为匹配不通过，激活所述偏置电路，根据所述增益自适应匹配模块进行自适应反馈分析，获取自适应栅极电压，以所述自适应栅极电压对所述MOSFET的栅极进行电压调节。

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