杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种小尺寸MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222786241U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421598955.7，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种小尺寸MOS器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种小尺寸MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种小尺寸MOS器件，包括由多个相互并联MOS元胞构成的MOS器件，所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极以及半导体外延层；其中，半导体外延层包括沉底层、扩散层、P阱层、N阱层以及漂移层；所述P阱层包括低掺杂P阱层一和低掺杂P阱层二；所述N阱层包括低掺杂N阱层、高掺杂P阱层一、高掺杂N阱层一、高掺杂N阱层二以及高掺杂N阱层三；所述漂移层包括漂移层一、漂移层二以及漂移层。本实用新型通过在低浓度掺杂的半导体中注入更高浓度的磷、硼元素进行逐级掺杂，以此来将N阱层、P阱层以及漂移层划分成不同层级，这种离子注入的制备方法不仅提高MOS器件的载流子精准度，而且能够有效缩减MOS器件的体积。
本实用新型一种小尺寸MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种小尺寸MOS器件，其特征在于，包括由多个相互并联MOS元胞构成的MOS器件，所述MOS元胞包括漏极1、源极2、栅极4以及半导体外延层；其中，半导体外延层包括沉底层5、扩散层6、P阱层、N阱层以及漂移层；所述P阱层包括低掺杂P阱层一7和低掺杂P阱层二8；所述N阱层包括低掺杂N阱层9、高掺杂P阱层一10、高掺杂N阱层一11、高掺杂N阱层二12以及高掺杂N阱层三13；所述漂移层包括漂移层一14、漂移层二15以及漂移层16。
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