森一量子科技(厦门)有限公司陈腾波获国家专利权
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龙图腾网获悉森一量子科技(厦门)有限公司申请的专利一种提高法拉第旋光片良率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410899427.3，技术领域涉及：C30B19/00；该发明授权一种提高法拉第旋光片良率的方法是由陈腾波;张榕贵;李来超;高浩然;叶纪龙设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高法拉第旋光片良率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高法拉第旋光片良率的方法，在衬底的上下表面同时生长一层法拉第旋光晶体，将上表面生长的法拉第旋光晶体作为抑制层，对晶圆在降温收缩的过程中提供作用力，抑制晶圆的翘曲，减少了晶圆开裂的问题，提升了产品良率，有助于生长大尺寸法拉第旋光片晶圆。
本发明授权一种提高法拉第旋光片良率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高法拉第旋光片良率的方法，其特征在于，在衬底上表面制备抑制层，所述抑制层为法拉第旋光晶体；包括以下步骤：先升温将原料融化成熔体，接着降温到晶体生长所需温度，缓慢将衬底夹具下降使得衬底浸入所述熔体中，所述衬底夹具来回旋转，在所述衬底上下表面同时生长一层法拉第旋光晶体，其上表面的法拉第旋光晶体作为抑制层，将所述衬底升高至其下表面接触熔体进行外延生长工艺，直至得到需要的晶圆厚度；所述衬底是掺杂钆镓石榴石衬底或钆镓石榴石衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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