芯联集成电路制造股份有限公司靳美丽获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118373382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410825525.2，技术领域涉及：B81C99/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子装置是由靳美丽;王红海设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法和电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述制造方法包括：提供器件基底和盖帽基底；在所述器件基底的第一表面上形成具有对准标记的凸起；在所述盖帽基底的第一表面上形成与所述凸起对应的凹槽；将所述器件基底的所述第一表面与所述盖帽基底的所述第一表面接合，接合后所述凸起位于所述凹槽内；对所述盖帽基底的第二表面进行减薄，以露出所述对准标记。本申请通过将对准标记转移到半导体器件的顶部，可以解决由于对准标记形成在深腔体的底部所导致的对准、量测和剑影等问题。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供器件基底和盖帽基底；对所述器件基底的第一表面进行刻蚀，以形成具有对准标记的凸起；在所述盖帽基底的第一表面上形成与所述凸起对应的凹槽；将所述器件基底形成有所述凸起的一面与所述盖帽基底形成有所述凹槽的一面接合，接合后所述凸起位于所述凹槽内；对所述盖帽基底的第二表面进行减薄，以露出所述对准标记；其中，所述器件基底上形成有微机电系统。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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