恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高韵峯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222786238U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421158883.4，技术领域涉及：H10B63/00；该实用新型半导体装置是由高韵峯;姜慧如设计研发完成，并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置，包括形成于后段制程区中的非挥发性内存结构。非挥发性内存结构包括基于介电质的一次性可程序化反熔丝内存结构或基于介电质的可变电阻式内存。非挥发性内存结构借由修改非挥发性内存结构的电阻而被选择性地程序化，且即使当自半导体装置移除电源时，也可保留储存于非挥发性内存结构中的数据。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：多个后段介电层；以及非挥发性内存结构，包括于所述多个后段介电层中，包括：闸极结构；通道层，位于所述闸极结构上方；第一源极汲极区及第二源极汲极区，位于所述通道层上方；第一内连线结构，位于所述第一源极汲极区上方且与所述第一源极汲极区耦合，其中所述第一内连线结构与所述半导体装置中的位线导电结构耦合；以及第二内连线结构，位于所述第二源极汲极区上方且与所述第二源极汲极区耦合，其中所述第二内连线结构相邻于所述半导体装置中的选择线导电结构，且其中所述多个后段介电层中的一者的一部分位于所述第二内连线结构与所述选择线导电结构之间。
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