买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜江苏索力德普半导体科技有限公司申请的专利一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118507510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410573533.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法是由柴晨凯;王万;李娜;彭振峰设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；对于任一沟槽型元胞，包括位于第二导电类型屏蔽层上方的沟槽栅单元，所述沟槽栅单元与第二导电类型屏蔽层隔离；所述第二导电类型屏蔽层与SiC基板上方用于形成正面第一电极的正面第一电极金属电连接；所述正面第一电极金属与所述沟槽栅单元绝缘隔离；功率器件反向关断时，利用第二导电类型屏蔽层屏蔽沟槽栅单元处的电场。该功率器件具有较高的耐压能力及可靠性。

本发明授权一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐压沟槽型SiC功率器件，其特征在于，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；对于任一沟槽型元胞，包括位于第二导电类型屏蔽层上方的沟槽栅单元，所述沟槽栅单元与第二导电类型屏蔽层隔离；所述第二导电类型屏蔽层与SiC基板上方用于形成正面第一电极的正面第一电极金属电连接；所述正面第一电极金属与所述沟槽栅单元绝缘隔离；功率器件反向关断时，利用第二导电类型屏蔽层屏蔽沟槽栅单元处的电场；有源区内相邻的沟槽型元胞之间设置有屏蔽层引出单元；所述屏蔽层引出单元包括第二导电类型屏蔽层引出区，所述第二导电类型屏蔽层引出区与第二导电类型屏蔽层接触；所述第二导电类型屏蔽层引出区与SiC基板上方用于形成正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触；所述第二导电类型屏蔽层引出区包括第二导电类型第一屏蔽层引出区以及第二导电类型第二屏蔽层引出区，其中，所述第二导电类型第一屏蔽层引出区以及第二导电类型第二屏蔽层引出区均位于SiC基板内；所述第二导电类型第一屏蔽层引出区位于第二导电类型第二屏蔽层引出区下方且与第二导电类型第二屏蔽层引出区接触；沿有源区指向终端区的方向上，所述第二导电类型第一屏蔽层引出区的宽度小于第二导电类型第二屏蔽层引出区的宽度；所述第二导电类型第一屏蔽层引出区与第二导电类型屏蔽层接触；所述沟槽型元胞中还包括位于沟槽栅单元下方的第一导电类型掺杂区，其中，所述沟槽栅单元、第二导电类型屏蔽层以及所述第一导电类型掺杂区均位于SiC基板中的第一导电类型漂移区内，且所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区的掺杂浓度；所述第一导电类型掺杂区贯穿第二导电类型屏蔽层且与沟槽栅单元接触；沟槽栅单元与第二导电类型屏蔽层通过第二导电类型屏蔽层上方的第一导电类型漂移区隔离；功率器件正向导通时，载流子由第一导电类型掺杂区流入所述第一导电类型漂移区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏索力德普半导体科技有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。