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龙图腾网恭喜海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311556338.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由刘恒;陈道坤;周文杰;张永旺;储金星;杨晶杰;刘子俭;梁孟设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；漂移层；第一沟槽，间隔沟槽包括两个在第一方向上间隔设置的子沟槽部，子沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽；第二沟槽，第二沟槽在第一方向间隔设置于两个子沟槽部之间；第一连接沟槽，两个第一连接沟槽中的一个将多个第二沟槽第一方向的一端连接，另一个将多个第二沟槽第一方向的另一端连接；第二连接沟槽，第二连接沟槽将栅极沟槽组中的栅极沟槽邻近第二沟槽的一端连接，且将相邻两个栅极沟槽组邻近第二沟槽的一端连接。由此，不仅可以防止绝缘栅双极晶体管区域与快恢复二极管区域在制程上互相干扰，保证两个区域各自的性能，而且可以提高半导体装置的通流能力。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体（80），所述基体（80）具有第一主面（81）及与第一主面（81）相反侧的第二主面（82）；第一导电类型的漂移层（10），所述漂移层（10）设于第一主面（81）和第二主面（82）之间；第一沟槽（20），所述第一沟槽（20）从所述第一主面（81）朝向所述第二主面（82）延伸且到达所述漂移层（10）中，所述第一沟槽（20）在第一方向上延伸设置且为多个，多个所述第一沟槽（20）在第二方向上间隔设置，多个所述第一沟槽（20）中的部分为间隔沟槽（21）；所述间隔沟槽（21）包括两个在第一方向上间隔设置的子沟槽部（221），所述子沟槽部（221）包括多个栅极沟槽组（222）和多个假栅沟槽（223），多个所述栅极沟槽组（222）在第二方向上间隔设置，相邻两个所述栅极沟槽组（222）之间设置有至少一个所述假栅沟槽（223），所述栅极沟槽组（222）包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽（2221），其中，所述栅极沟槽（2221）与所述半导体装置（100）的栅极电连接，所述假栅沟槽（223）与所述半导体装置（100）的发射极电连接；第二沟槽（30），所述第二沟槽（30）从所述第一主面（81）朝向所述第二主面（82）延伸且到达所述漂移层（10）中，所述第二沟槽（30）在第一方向上延伸设置，所述第二沟槽（30）部为多个且在第二方向上相互间隔，所述第二沟槽（30）在第一方向间隔设置于两个所述子沟槽部（221）之间；第一连接沟槽（40），所述第一连接沟槽（40）从所述第一主面（81）朝向所述第二主面（82）延伸且到达所述漂移层（10）中，所述第一连接沟槽（40）在第二方向上延伸设置，所述第一连接沟槽（40）为两个，两个所述第一连接沟槽（40）中的一个将多个所述第二沟槽（30）第一方向的一端连接，另一个将多个所述第二沟槽（30）第一方向的另一端连接；第二连接沟槽（50），所述第二连接沟槽（50）从所述第一主面（81）朝向所述第二主面（82）延伸且到达所述漂移层（10）中，所述第二连接沟槽（50）在第二方向上延伸设置，所述第二连接沟槽（50）将栅极沟槽组（222）中的所述栅极沟槽（2221）邻近所述第二沟槽（30）的一端连接，且将相邻两个所述栅极沟槽组（222）邻近所述第二沟槽（30）的一端连接；所述栅极沟槽（2221）邻近所述第二沟槽（30）的一端凸出于所述假栅沟槽（223）邻近所述第二沟槽（30）的一端，所述假栅沟槽（223）与所述第二连接沟槽（50）在第一方向上相互间隔；第三连接沟槽（60），所述第三连接沟槽（60）从所述第一主面（81）朝向所述第二主面（82）延伸且到达所述漂移层（10）中，所述第三连接沟槽（60）在第二方向上延伸设置，相邻两个所述栅极沟槽组（222）之间设置有至少两个所述假栅沟槽（223），所述第三连接沟槽（60）将相邻两个所述栅极沟槽组（222）之间的所述假栅沟槽（223）邻近所述第二沟槽（30）的一端连接。

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