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龙图腾网恭喜苏州海卓赛思科技有限公司申请的专利一种薄膜氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117388330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311519039.X，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种薄膜氢气传感器及其制备方法是由景涛;陈浩;贺海浪;翁建青设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜氢气传感器，其包括基底、用于检测氢气浓度的氢气测量单元、键合玻璃，所述氢气测量单元具有4个桥臂的惠斯通电桥结构，所述惠斯通电桥结构由多个电化学特性相同的氢敏电阻元件组成，每个桥臂上的氢敏电阻元件个数相同，其中两个相对的桥臂上为用于氢气测量的氢敏电阻元件，另两个相对的桥臂上为参比氢敏电阻元件。键合玻璃靠近基底的一端设置有凹槽，凹槽壁顶部与基底密封连接而在凹槽内形成密闭空腔，参比氢敏电阻位于密闭空腔内。该传感器生产工艺简单成熟，传感器的灵敏度和测量精度高，且无需加热元件从而大大降低传感器功耗。

本发明授权一种薄膜氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜氢气传感器，其特征在于，包括基底1、用于检测氢气浓度的氢气测量单元2、键合玻璃3，所述氢气测量单元2为具有4个桥臂的惠斯通电桥结构，所述惠斯通电桥结构由多个电化学特性相同的氢敏电阻元件组成，每个桥臂上的氢敏电阻元件个数相同，其中两个相对的桥臂上设有用于氢气测量的氢敏电阻元件21，另两个相对的桥臂上设有参比氢敏电阻元件22；所述基底1上下两面对应设置有上氧化物绝缘层4和下氧化物绝缘层5，所述氢敏电阻元件21位于上氧化物绝缘层4上，参比氢敏电阻元件22位于下氧化物绝缘层5上；所述键合玻璃3靠近基底1的一端设置有凹槽31，凹槽壁顶部32与基底1密封连接而在凹槽31内形成密闭空腔，所述参比氢敏电阻元件22位于所述密闭空腔内；所述参比氢敏电阻元件22上连接金属引针34，所述金属引针34一端连接参比氢敏电阻元件22，另一端相对键合玻璃3背离基底1的一端伸出。

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