恭喜营口星火新材料有限公司高旭宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜营口星火新材料有限公司申请的专利一种完全非稠环电子受体材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116444552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310460669.8，技术领域涉及：C07F5/02；该发明授权一种完全非稠环电子受体材料及其制备方法与应用是由高旭宇;高嘉欣设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种完全非稠环电子受体材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种完全非稠环电子受体材料及其制备方法与应用，其核心基团为氟硼二吡咯单元，核心骨架四个α位点各有一个甲基取代基，端基为卤原子取代的3‑二氰基亚甲基茚‑1‑酮单元，端基和核心之间的π桥为烷基取代噻吩单元。基于氟硼二吡咯核心自身固有的强消光特性，辅以核心10号位上噻吩给电子基与氟硼二吡咯额外的推拉电子作用，以及分子A‑D‑A’‑D‑A构型所促进的强分子内电荷转移特性，本发明受体材料可在共轭程度有限的前提下实现较理想的吸光能力，有利于提升光伏器件性能。核心基团上四个甲基单元可提供一定的空间位阻，促使骨架核心与噻吩π桥之间形成空间扭转，使整个分子的平面性被打破，解决了完全非稠环受体吸光弱及形貌调控难的问题。
本发明授权一种完全非稠环电子受体材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种完全非稠环电子受体材料，其特征在于，核心基团为氟硼二吡咯单元，其骨架四个α位点各有一个甲基取代基，端基为氟或氯原子取代的3-（二氰基亚甲基）茚-1-酮单元，端基和核心基团中间的π桥为烷基取代噻吩单元；所述完全非稠环电子受体材料的化学结构如式如下： ；其中，X为卤素原子氟或氯。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人营口星火新材料有限公司，其通讯地址为：115000 辽宁省营口市西市区新联大街195号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号