恭喜佛山大学陈卓元获国家专利权
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龙图腾网恭喜佛山大学申请的专利一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310346501.4，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法是由陈卓元;荆江平;冯昌设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电化学阴极保护技术领域，尤其涉及一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法。一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法，包括以下步骤：步骤A、将半导体材料制备半导体电极；步骤B、待保护金属的暗态阳极极化曲线测试：在所需溶液环境和暗态下，测试待保护金属的阳极极化曲线；步骤C、半导体电极的光致阴极极化曲线测试：在所需溶液环境和光照下，测试半导体电极的阴极极化曲线。所述评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法，可以在不耦联金属电极的情况下，初步判断半导体电极对特定金属的光致阴极保护性能，表征速度快，且准确率高，解决了现有半导体材料的光致阴极保护性能的表征方法稳定性差、测试效率低的问题。
本发明授权一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、将半导体材料制备半导体电极；步骤B、待保护金属的暗态阳极极化曲线测试：在所需溶液环境和暗态下，测试待保护金属的阳极极化曲线；步骤C、半导体电极的光致阴极极化曲线测试：在所需溶液环境和光照下，测试半导体电极的阴极极化曲线，步骤C中的所需溶液环境与步骤B中的所需溶液环境相同；步骤D、将半导体电极的阴极极化曲线与待保护金属的阳极极化曲线绘制到同一个图中，阴极极化曲线与阳极极化曲线相交得到交点，根据所述交点对应的电位值和电流密度值评价所述半导体材料在所需溶液环境和光照下对待保护金属的光致阴极保护性能。
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