恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司许真获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种高选择性且低泡的蚀刻液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116218528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211573449.8，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种高选择性且低泡的蚀刻液是由许真;张庭;贺兆波;李金航;武昊冉;李誉;董攀飞;叶瑞;罗海燕;刘春丽设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高选择性且低泡的蚀刻液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。
本发明授权一种高选择性且低泡的蚀刻液在权利要求书中公布了：1.一种高选择性且低泡的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分为1-15wt%的氢氟酸、10-25wt%的氟化铵、0.01-0.3wt%的添加剂、0.05-0.5wt%的表面活性剂，剩余为超纯水，所述添加剂为选自聚（4-乙烯基吡啶对甲苯磺酸盐）、聚茴香磺酸钠、聚4-苯乙烯磺酸、聚二乙烯磺酸钾、聚3,4-亚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸中的至少一种，所述的表面活性剂为选自烷氧基聚乙烯氢氧基乙醇、N-乙基全氟辛基磺酰胺乙醇、乙氧基化-C12-18-醇的任意一种。
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