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龙图腾网恭喜福建中科光芯光电科技有限公司申请的专利一种改善InGaAs表面沉积SiO₂脱落的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115896756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211443001.4，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权一种改善InGaAs表面沉积SiO₂脱落的方法是由黄惠莺;薛正群设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善InGaAs表面沉积SiO₂脱落的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；（2）通过在沉积SiO2的预清洗阶段增加笑气清洗，并适当增加清洗的流量和射频功率。本发明的方法解决了PECVD在InGaAs表面沉积SiO2脱落的问题，对InGaAs衬底表面进行预处理，优化生长SiO2的recipe，使得SiO2膜与晶圆上的InGaAs粘附更好，减少其它SiO2膜异常的出现。

本发明授权一种改善InGaAs表面沉积SiO₂脱落的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、晶圆片预处理：当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；步骤二、沉积SiO2：（1）按流量为700sccm，向腔室通入N2，腔压1400mTorr，持续时间60s；（2）预清洗第一阶段：N2流量充入500-1000sccm，腔压1000-1500mTorr，射频功率50-120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700-1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300-1500mTorr，持续时间60s；（2）预清洗第二阶段：N2O流量充入500-1000sccm，腔压1000-1500mTorr，射频功率50-120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700-1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300-1500mTorr，持续时间60s；（3）预清洗第三阶段：N2流量充入500-1000sccm，NH3流量充入10-30sccm，腔压1000-1500mTorr，射频功率50-120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700-1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300-1500mTorr，持续时间60s；（4）SiO2薄膜沉积准备阶段：N2流量充入700sccm，SiH4流量充入100sccm，N2O流量充入700-800sccm，腔压1200mTorr，持续时间60s；（5）SiO2薄膜沉积：N2流量充入700-1000sccm，SiH4流量充入90-110sccm，N2O流量充入700-800sccm，腔压1200mTorr，射频功率50-70w，持续时间根据膜厚来决定。

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