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龙图腾网恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211122101.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质是由冷官冀设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括：获取多个芯片的晶圆测试数据，所述晶圆测试数据包括与每个所述芯片对应的至少一项电性能参数；获取封装模组的热仿真结果，所述热仿真结果中包括与多个安装位置中每个安装位置对应的温度值，所述安装位置为在所述封装模组中用于安装所述芯片的位置，所述封装模组用于对多个所述芯片进行封装以形成功率模组；根据所述晶圆测试数据和所述热仿真结果，确定所述芯片与所述安装位置的对应关系。本发明所提供的功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质，可以减少封装模组内芯片的温差，提高功率模组的电性能，并且成本低。

本发明授权功率模组中芯片位置的确定方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种功率模组中芯片位置的确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取多个芯片的晶圆测试数据，所述晶圆测试数据包括与每个所述芯片对应的至少一项电性能参数；获取封装模组的热仿真结果，所述热仿真结果中包括与多个安装位置中每个安装位置对应的温度值，所述安装位置为在所述封装模组中用于安装所述芯片的位置，所述封装模组用于对多个所述芯片进行封装以形成功率模组；根据所述晶圆测试数据中每个芯片的至少一个电性能参数，对所述芯片按照第一预设规则进行排序，排序时，所述电性能参数选取最能影响芯片的发热量的参数；所述第一预设规则为按芯片性能的优劣排序；所述排序中性能最优的芯片为发热量最小的芯片；根据所述热仿真结果中的与所述安装位置对应的温度值的高低，对所述多个安装位置进行排序；根据所述芯片的排序及所述安装位置的排序，确定所述芯片与所述安装位置的对应关系。

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