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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210702730.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法是由谢磊;何志斌;夏禹设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有自下而上依次叠加的第二氧化层、栅极、第一至三硬掩膜层；通过光刻和刻蚀打开第三硬掩膜层及其下方的第二、一硬掩膜层，使得部分栅极裸露，之后去除光刻胶层及抗反射涂层；以栅极相对于第二、三硬掩膜层的高选择比，刻蚀裸露的栅极形成凹槽，使得部分第一硬掩膜层上的第三硬掩膜层去除；以栅极相对于第三硬掩膜层的低选择比、第三硬掩膜层相对于第二硬掩膜层的高选择比，刻蚀第三硬掩膜层、第二硬掩膜层，使得剩余的第三硬掩膜层全部去除。本发明通过改变硬掩膜层的结构,并优化栅极刻蚀步骤中的选择比,改善了残留的硬掩膜层的负载差异。

本发明授权改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有自下而上依次叠加的第二氧化层、栅极、第一至三硬掩膜层；步骤二、通过光刻和刻蚀打开第三硬掩膜层及其下方的第二硬掩膜层、第一硬掩膜层，使得部分所述栅极裸露，之后去除光刻胶层及抗反射涂层；步骤三、以所述栅极相对于第二、三硬掩膜层的高选择比，刻蚀裸露的所述栅极形成凹槽，使得部分所述第一硬掩膜层上的所述第三硬掩膜层去除，另一部分所述第一硬掩膜层上保留部分所述第三硬掩膜层；步骤四、以所述栅极相对于所述第三硬掩膜层的低选择比、所述第三硬掩膜层相对于第二硬掩膜层的高选择比，刻蚀所述第三硬掩膜层、所述第二硬掩膜层，使得剩余的所述第三硬掩膜层全部去除，且所述凹槽与第二氧化层相连通。

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