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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利类晶体管冗余图形添加方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115081379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597555.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权类晶体管冗余图形添加方法及存储介质是由李佳佳;曹云;魏芳设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本类晶体管冗余图形添加方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种类晶体管冗余图形添加方法，包括：选出类晶体管冗余图形的可添加区域；在可添加区域添加类晶体管冗余图形；拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域；根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和或拉伸；沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域；和或，沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域；将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并。本发明相对现有技术能提高类晶体管冗余图形的添加量，实现更充分冗余图形添加，使得版图分布更加均匀，进而降低工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率和可靠性。

本发明授权类晶体管冗余图形添加方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种类晶体管冗余图形添加方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，选出类晶体管冗余图形的可添加区域；S2，在可添加区域添加类晶体管冗余图形；S3，拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域；S4，根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和或拉伸；S5，沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域；和或，沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域；S6，将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并；所述类晶体管冗余图形包括：五根并列水平排布的POLY冗余图形和两根竖直并列排布的AA冗余图形；其中，两根竖直并列排布的AA冗余图形与中间三根POLY冗余图形存在重叠，AA冗余图形和POLY冗余图形重叠的地方为冗余图形栅区域。

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