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龙图腾网恭喜扬州大学申请的专利一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114878921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210484943.0，技术领域涉及：G01R27/28；该发明授权一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法是由张有鑫;薛玉雄;单光宝;刘洋;王新淦;曹荣幸;郑澍;李红霞;韩丹;曾祥华设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。

本发明授权一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法在权利要求书中公布了：1.一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，其特征在于，包括：步骤1：设计并制作一批三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪分别测试出三维互连TSV转接板辐照前的散射参数S21；步骤2：根据确定好的若干剂量点，对三维互连TSV转接板进行钴源辐照，之后再次利用矢量网络分析仪测得经不同剂量下辐照后的散射参数S21；步骤3：根据所述三维互连TSV转接板，在HFSS软件中建立对应的结构模型，随后改变结构模型中材料Si、SiO2的介电常数，将通过HFSS软件仿真的散射参数与实测的散射参数进行拟合；步骤4：根据所述散射参数S21以及材料Si、SiO2的介电常数，得到钴源辐照剂量与三维互连TSV转接板中材料Si、SiO2的介电常数的函数关系为：y1＝-1.43·e-x173.98+13.331y2＝-0.81·e-x154.60+4.712其中，y1为Si的介电常数；y2为SiO2的介电常数；x为钴源辐照剂量；步骤5：根据所述函数关系来预测不同剂量点下三维互连TSV转接板中材料Si、SiO2的介电常数值；所述三维互连TSV转接板包括：最底层为第一EMC层10，在第一EMC层10上方覆盖Pi层9；Pi层9的上方是整个转接板的背面RDL12；背面RDL12上方是第二EMC层8，第二EMC层8内包裹有硅层7，硅层7上开有若干TSV4，各TSV4的内表面设有一层二氧化硅层3；第二EMC层8上方是整个转接板的正面RDL1，各TSV4与正面RDL1之间分别设有Bump2；其中，背面RDL12上开第一通槽，第一通槽内嵌有连接两个TSV4的背面信号RDL6，背面信号RDL6与第一通槽之间通过第一EMC带13绝缘；正面RDL1上开有两个第二通槽，两个第二通槽相互不连通，并分别正对一个连接背面信号RDL6的TSV4，第二通槽内分别设有一个正面信号RDL5，正面信号RDL5与第二通槽之间通过第二EMC带11绝缘。

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