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龙图腾网恭喜深圳市思米半导体有限公司申请的专利一种碳化硅智能功率模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210065727.2，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种碳化硅智能功率模组是由李秉纬;张焕云设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅智能功率模组在说明书摘要公布了：本申请实施例属于半导体领域，涉及一种碳化硅智能功率模组。包括基板、引脚框架、碳化硅功率模组以及驱动芯片组；引脚框架的局部设置在基板上，碳化硅功率模组设置在基板或引脚框架上；驱动芯片组包括输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片；输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片分开设置在基板或引脚框架上；输入级芯片用于对接收到的输入信号进行处理和保护；隔离变压器芯片连接于输入级芯片和输出级芯片之间，用于对处理后的信号进行高压隔离，并将高压隔离后的信号传输给输出级芯片；输出级芯片的输出端口与碳化硅功率模组电连接,用于驱动碳化硅功率模组。本申请提供的技术方案能够提高可靠性和使用便捷性。

本发明授权一种碳化硅智能功率模组在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅智能功率模组，其特征在于，包括：基板、引脚框架、碳化硅功率模组以及用于驱动所述碳化硅功率模组的驱动芯片组；所述引脚框架的局部设置在所述基板上，所述碳化硅功率模组设置在所述基板上；所述驱动芯片组包括输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片；所述输入级芯片、所述隔离变压器芯片以及所述输出级芯片分开设置在所述引脚框架上；所述输入级芯片用于对接收到的输入信号进行处理和保护；所述输入级芯片包括输入端口保护电路、斯密特电路、第一滤波电路、死区时间和互锁电路、第一控制电路、调制电路、过流检测和保护电路以及故障反馈电路；所述隔离变压器芯片连接于所述输入级芯片和所述输出级芯片之间，用于对处理后的信号进行高压隔离，并将高压隔离后的信号传输给所述输出级芯片；所述输出级芯片的输出端口与所述碳化硅功率模组电连接，用于驱动所述碳化硅功率模组；所述输出级芯片包括解调电路、第二滤波电路、欠压保护电路、第二控制电路以及驱动和死区电路；所述基板为DBC基板，所述引脚框架的一部分固定在所述DBC基板的一侧边缘，所述引脚框架的另外一部分局部分开设置在所述DBC基板的一侧，且与所述DBC基板间隔设置；其中，所述碳化硅功率模组设置在所述DBC基板上；所述输入级芯片、所述隔离变压器芯片以及所述输出级芯片分开设置在所述DBC基板一侧的引脚框架上。

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