恭喜长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院罗杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体结构和半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210054708.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体结构和半导体结构的制备方法是由罗杰;肖德元设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构和半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法，该半导体结构包括：衬底，衬底上包括第一有源区、第二有源区及隔离结构；其中，第一有源区和第二有源区通过隔离结构进行隔离；第一有源区包括第一掺杂区和第二掺杂区；第二有源区包括第三掺杂区和第四掺杂区；半导体结构还包括栅极结构，且栅极结构设置在第二掺杂区和第三掺杂区上方，且栅极结构与第二掺杂区和第三掺杂区连接。这样，本申请实施例的半导体结构能够提高器件集成度，改善半导体的电学性能。
本发明授权一种半导体结构和半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括第一有源区、第二有源区及隔离结构；其中，所述第一有源区和所述第二有源区通过所述隔离结构进行隔离；所述第一有源区包括第一掺杂区和第二掺杂区；所述第二有源区包括第三掺杂区和第四掺杂区；所述半导体结构还包括栅极结构，且所述栅极结构设置在所述第二掺杂区和所述第三掺杂区上方，且所述栅极结构与所述第二掺杂区和所述第三掺杂区连接；所述第一有源区和或所述第二有源区包括鳍状结构；所述第二掺杂区位于所述第一有源区靠近所述第二有源区的一端，所述第三掺杂区位于所述第二有源区靠近所述第一有源区的一端；所述第二掺杂区包括第一连接区，所述第一连接区将所述第一有源区的至少两个鳍状结构连接在一起。
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