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龙图腾网恭喜新拓三维技术(深圳)有限公司申请的专利一种芯片翘曲变形测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114445486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111658388.0，技术领域涉及：G06T7/70；该发明授权一种芯片翘曲变形测量方法及装置是由柏晓春;李磊刚;唐正宗;刘坤设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片翘曲变形测量方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片翘曲变形测量方法及装置，方法包括：采用光束平差法标定双目相机的内外参数同时对所述双目相机二次校正得到相机标定结果；采用标定好的所述双目相机在第一温度下采集待测样本的散斑图案的第一图像，所述待测样品预先制备所述散斑图案；所述第一图像包括第一左图像和第一右图像；将所述待测样本的温度加热或冷却至第二温度并采用标定好的所述双目相机在所述第二温度下采集所述待测样本的散斑图案的第二图像；所述第二图像包括第二左图像和第二右图像；获取所述第一图像和所述第二图像的像素点的三维坐标；依据所述三维坐标计算所述待测样本的翘曲、应变和热膨胀系数；提升测量效率与精度。

本发明授权一种芯片翘曲变形测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片翘曲变形测量方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用光束平差法标定双目相机的内外参数同时对所述双目相机二次校正得到相机标定结果；S2：采用标定好的所述双目相机在第一温度下采集待测样本的散斑图案的第一图像，所述待测样品预先制备所述散斑图案；所述第一图像包括第一左图像和第一右图像；S3：将所述待测样本的温度加热或冷却至第二温度并采用标定好的所述双目相机在所述第二温度下采集所述待测样本的散斑图案的第二图像；所述第二图像包括第二左图像和第二右图像；S4：获取所述第一图像和所述第二图像的像素点的三维坐标；S5：依据所述三维坐标计算所述待测样本的翘曲、应变和热膨胀系数；采用光束平差法标定所述双目相机的内外参数同时对所述双目相机二次校正得到相机标定结果包括如下步骤：S11：自动标定装置做两个自由度的旋转运动得到标定板多个不同的姿态；S12：采用所述双目相机获取不同姿态下所述标定板上物体点的图像点；S13：通过所述图像点对所述双目相机进行标定并二次校正得到所述相机标定结果。

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