恭喜北京邮电大学杨雷静获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京邮电大学申请的专利辅助薄层型端面耦合器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115469399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111416416.8,技术领域涉及:G02B6/122;该发明授权辅助薄层型端面耦合器是由杨雷静;郎需跃;忻向军;张琦;饶岚;孙莉萍;王宁;王拥军;田清华;田凤设计研发完成,并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本辅助薄层型端面耦合器在说明书摘要公布了:本发明提供一种辅助薄层型端面耦合器,包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层,所述二氧化硅包层内设有:输入段波导,包括条形中心波导以及多个辅助薄层波导,各所述辅助薄层波导在垂直于其延伸方向上的横截面形状均为长条状矩形,且各辅助薄层波导在延伸方向上各横截面的长边尺寸逐渐减小,多个辅助薄层波导的第一端端面的长边围成闭合方形,条形中心波导的第二端端面及各辅助薄层波导的第二端端面均位于端面耦合器的第二端端面内侧,且各辅助薄层波导与条形中心波导之间均间隔有预设距离;输出段波导,输出段波导的第一端与条形中心波导的第二端相接,输出段波导垂直于其延伸方向上的横截面面积沿延伸方向逐渐增大。
本发明授权辅助薄层型端面耦合器在权利要求书中公布了:1.一种辅助薄层型端面耦合器,其特征在于,所述辅助薄层型端面耦合器包括硅衬底、设置在硅衬底上的埋氧层和位于所述埋氧层的远离所述硅衬底的一侧的二氧化硅包层,所述二氧化硅包层内设有:输入段波导,所述输入段波导包括条形中心波导以及布置在所述条形中心波导外周的多个辅助薄层波导,所述条形中心波导以及各所述辅助薄层波导自所述端面耦合器的第一端朝向所述端面耦合器的第二端延伸,各所述辅助薄层波导在垂直于其延伸方向上的横截面形状均为长条状矩形,且各所述辅助薄层波导在延伸方向上各横截面的长边尺寸逐渐减小,所述多个辅助薄层波导的第一端端面的长边围成闭合方形,所述条形中心波导的第一端端面及各所述辅助薄层波导的第一端端面均位于所述端面耦合器的第一端端面内侧,所述条形中心波导的第二端端面及各所述辅助薄层波导的第二端端面均位于所述端面耦合器的第二端端面内侧,且各所述辅助薄层波导与所述条形中心波导之间均间隔有预设距离;输出段波导,其自所述条形中心波导的第二端朝向所述端面耦合器的第二端延伸,所述输出段波导的第一端与所述条形中心波导的第二端相接,以使所述输出段波导和所述条形中心波导之间可进行光耦合,所述输出段波导垂直于其延伸方向上的横截面面积沿延伸方向逐渐增大;所述辅助薄层波导的数量为四个,四个所述辅助薄层波导的第一端端面的长边围成正方形;各所述辅助薄层波导与条形中心波导之间的距离沿所述辅助薄层波导的延伸方向逐渐减小;各所述辅助薄层波导的平行于其延伸方向上的横截面形状为等腰梯形;所述输出段波导为倒锥形波导,且所述输出段波导的第一端端面形状为正方形,所述输出段波导的第二端端面形状为矩形。
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