恭喜无锡华润上华科技有限公司许超奇获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利自对准孔的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414021.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权自对准孔的制备方法及半导体器件是由许超奇;陈淑娴;林峰;马春霞;张仪;朱文明设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本自对准孔的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种自对准孔的制备方法及半导体器件，所述半导体器件包括：沟槽侧壁栅极结构，包括形成于沟槽的侧壁底部的栅极，以及沟槽内覆盖所述栅极的绝缘材料；源极区，设于所述沟槽的下方；漏极区，设于所述沟槽的顶部两侧；其中，所述半导体器件还设有向下贯穿所述绝缘材料至所述源极区的源极接触孔，所述源极接触孔中填充导电材料从而与所述源极区电性连接，所述源极接触孔从所述沟槽两侧的所述栅极之间穿过，所述源极接触孔的侧壁形成有刻蚀阻挡层。本发明可以降低器件的Ron,sp。
本发明授权自对准孔的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种自对准孔的制备方法，包括：获取形成有沟槽侧壁栅极结构的晶圆；所述晶圆形成有沟槽，所述沟槽的侧壁底部形成有栅极，所述沟槽的侧壁形成有覆盖所述栅极的绝缘材料；在所述沟槽的侧壁形成位于所述绝缘材料的内侧的刻蚀阻挡层；从侧壁一侧的刻蚀阻挡层到另一侧的刻蚀阻挡层的距离为d；向所述沟槽内填充所述绝缘材料，且采用的填充工艺为无法将所述沟槽填充完整的填充工艺，从而在所述沟槽内的所述刻蚀阻挡层内侧形成空洞；在所述绝缘材料上形成层间介质层；在所述层间介质层上光刻形成宽度为d的刻蚀窗口，并通过所述刻蚀窗口向下刻蚀所述层间介质层和绝缘材料，所述刻蚀阻挡层对刻蚀形成阻挡从而自对准刻蚀形成宽度为d的接触孔；其中，d为0.1~0.3微米，所述向所述沟槽内填充所述绝缘材料的步骤填充的区域的深宽比为6：1~20：1。
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