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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利调整NWE的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121805B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111399672.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权调整NWE的方法是由麻尉蔚;黄然;周维设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本调整NWE的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种调整NWE的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用通用工艺完成晶圆前序工艺步骤直至SiGe硬掩模沉积；通过调整SiGe硬掩模刻蚀的Trimming时间或SiGe沟槽刻蚀的横向刻蚀时间调整T2G参数；和或，通过调整SiGe沟槽的垂直刻蚀时间调整RCD参数；刻蚀形成最终SiGe沟槽，经过SiGe外延生长最终形成SiGe；采用通用工艺完成后序工艺步骤。本发明通过调整SiGe硬掩模刻蚀的Trimming时间或SiGe沟槽刻蚀的横向刻蚀时间调整T2G参数，和或调整SiGe沟槽的垂直刻蚀时间调整RCD参数，进而改变PMOS的ThroughAAWidthEffectTrend，再通过LDDImplantationDose调整，来使器件速度匹配PCMTarget。本发明与业内通行的出版AA光罩，改变AACD的方法相比同样有效，并且成本更低，具有一定的可调范围，可用于PMOS的KWLMatching。

本发明授权调整NWE的方法在权利要求书中公布了：1.一种调整NWE的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1,采用通用工艺完成晶圆前序工艺步骤直至SiGe硬掩模沉积；S2，通过调整SiGe硬掩模刻蚀的Trimming时间或SiGe沟槽刻蚀的横向刻蚀时间调整T2G参数，T2G是SiGe尖与栅极沟道的横向距离；和或，通过调整SiGe沟槽的垂直刻蚀时间，调整RCD参数，RCD是SiGetrench的整体深度；通过减小T2G参数扩大小宽度有源区器件和大宽度有源区器件的速度差异；通过增加T2G参数缩小小宽度有源区器件和大宽度有源区器件的速度差异；通过增大RCD参数扩大小宽度有源区器件和大宽度有源区器件的速度差异；通过减小RCD参数缩小小宽度有源区器件和大宽度有源区器件的速度差异；S3，刻蚀形成最终SiGe沟槽，经过SiGe外延生长最终形成SiGe；S4，采用通用工艺完成后序工艺步骤。

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