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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种低功耗高性能小尺寸C单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111323586.1，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种低功耗高性能小尺寸C单元是由闫锋;王一鸣;王凯;吴天泽;吴永杰;常峻淞;陈辉;李龙飞设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗高性能小尺寸C单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗高性能小尺寸C单元。该C单元包括PMOS上拉门、NMOS下拉门、驱动门以及反馈门；驱动门和反馈门组成一个存储器把信号锁起来，进而保存数据；两个PMOS构成上拉门，两个NMOS构成下拉门，六个MOSFET构成驱动门和反馈门，整个构成存储器。本发明的C单元电路可以在一个电路中实现两个输入同为高电平的时候输出高电平，两个输入同时为低电平的时候输出低电平，其余状态都保持不变。相较于传统的C单元逻辑电路，本发明的电路在功耗、性能、面积、兼容性上更占据优势。

本发明授权一种低功耗高性能小尺寸C单元在权利要求书中公布了：1.一种低功耗高性能小尺寸C单元，包括PMOS上拉门、NMOS下拉门、驱动门以及反馈门；其特征在于，所述PMOS上拉门包括第一PMOS管Q1和第二PMOS管Q2，第一PMOS管Q1的源极和衬底以及第二PMOS管Q2衬底均接入电源电压VDD，第一PMOS管Q1的漏极与第二PMOS管Q2的源端相连；所述NMOS下拉门包括第一NMOS管Q3和第二NMOS管Q4，第一NMOS管Q3的衬底和第二NMOS管Q4的衬底及源极均接地，所述第二NMOS管Q4的漏极与第一NMOS管Q3的源极相连接，所述第二PMOS管Q2的漏极与第一NMOS管Q3的漏极相连接；所述第一PMOS管Q1的栅极和所述第二NMOS管Q4的栅极连接且其连接端为第一信号输入端In1；所述第二PMOS管Q2的栅极和所述第一NMOS管Q3的栅极连接且其连接端为第二信号输入端In2；所述驱动门包括第三PMOS管Q5、第四PMOS管Q6、第三NMOS管Q7和第四NMOS管Q8，第三PMOS管Q5的源极和衬底以及第四PMOS管Q6的衬底均接入所述电源电压VDD，所述第三PMOS管Q5的栅极接地，所述第三PMOS管Q5的漏极与第四PMOS管Q6的源极相连，所述第三NMOS管Q7的衬底和第四NMOS管Q8的源极和衬底均接地，所述第三NMOS管Q7的源极和第四NMOS管Q8的漏极相连，所述第四NMOS管Q8的栅极接入所述电源电压VDD；所述反馈门包括第五PMOS管Q9和第五NMOS管Q10，第五PMOS管Q9的源极和衬底均接入电源电压，第五NMOS管Q10的源极和衬底均接入地；所述第五PMOS管Q9的栅极、第五NMOS管Q10的栅极、第四PMOS管Q6的漏极、第三NMOS管Q7的漏极、第二PMOS管Q2的漏极以及第一NMOS管Q3的漏极相连在一起，所述第五PMOS管Q9的漏极、第五NMOS管Q10的漏极、第四PMOS管Q6的栅极和第三NMOS管Q7的漏极相连为输出信号out。

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