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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体设备的检测方法、处理器与半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114021448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111277744.4，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权半导体设备的检测方法、处理器与半导体设备是由张聪;陈崟博;杨海峰;潘晓东;法提·奥尔梅兹;王璠;朱道钰设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体设备的检测方法、处理器与半导体设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体设备的检测方法、处理器与半导体设备。该方法包括：处理器获取多个历史数据，多个历史数据至少包括历史晶圆的尺寸参数、工艺参数和总加工晶圆数量以及设备的磨损程度数据；处理器根据多个历史数据构建设备磨损程度的模型，并利用设备磨损程度的模型和目标晶圆的尺寸参数和工艺参数，得到制作目标晶圆的设备的损坏程度。该方法中，处理器获取历史数据时，不需要人为对历史数据设置标准或标签，因此处理器获取的历史数据可以真实地反映半导体设备的状态，然后处理器根据历史数据构建设备磨损程度的模型，根据设备磨损程度的模型和目标数据，就可以准确地预测制作目标晶圆的设备的损坏程度。

本发明授权半导体设备的检测方法、处理器与半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备的检测方法，其特征在于，包括：处理器获取多个历史数据，多个所述历史数据至少包括多个第一历史数据、多个第二历史数据和多个第三历史数据，其中，所述第一历史数据包括历史晶圆的尺寸参数和制作所述历史晶圆时的工艺参数，所述第二历史数据包括制作各所述历史晶圆时的总加工晶圆数量，所述第三历史数据为检测到的设备磨损程度数据，所述第三历史数据与所述第一历史数据一一对应；所述处理器根据多个所述历史数据构建设备磨损程度的模型，并利用所述设备磨损程度的模型和目标数据，确定制作目标晶圆的设备的损坏程度，所述目标数据包括目标晶圆的尺寸参数和制作所述目标晶圆时的工艺参数，所述处理器根据多个所述历史数据构建设备磨损程度的模型，包括：对多个所述第一历史数据进行特征提取，得到特征数据；对所述特征数据和所述第二历史数据至少进行相关性分析，得到训练数据；利用所述训练数据和对应的所述第三历史数据对进行训练初始模型，将所述初始模型中的初始参数更新为目标参数，得到所述设备磨损程度的模型，所述初始模型为Hotelling-T平方值计算式与初始参数的乘积，对所述特征数据和所述第二历史数据至少进行相关性分析，得到训练数据，包括：对各所述特征数据和对应的所述第二历史数据进行相关性分析，得到多个相关性系数；在所述相关性系数小于0的情况下，计算1和所述相关性系数小于0对应的所述特征数据的差值，得到校正后的相关性系数；滤除所述校正后的相关性系数大于第一阈值的对应的所述特征数据，得到所述训练数据。

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