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恭喜天津大学陈博获国家专利权

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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种基于漏感控制的矩阵变压器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113871156B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111146446.1,技术领域涉及:H01F27/24;该发明授权一种基于漏感控制的矩阵变压器是由陈博;王议锋;陈晨;陈梦颖;张明智;王浩设计研发完成,并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于漏感控制的矩阵变压器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于漏感控制的矩阵变压器,包括磁芯及绕组,所述磁芯5进一步包括四个中柱1和四个边柱2构成的磁柱,以及设置于中柱上方和下方、边柱上方和下方的磁芯盖,每个中柱1缠绕中柱原边绕组3和中柱副边绕组4;在每个所述中柱1中,中柱副边绕组4对应产生的磁通比中柱原边绕组3对应产生的磁通少;所述中柱1之间均存在气隙6;通过控制中柱副边绕组的绕线来改变磁柱截面积,以及,通过控制中柱副边绕组与中柱原边绕组的距离来改变漏感的大小。与现有技术相比,本发明解决了矩阵变压器漏感不可控的问题。

本发明授权一种基于漏感控制的矩阵变压器在权利要求书中公布了:1.一种基于漏感控制的矩阵变压器,包括磁芯及绕组,其特征在于,所述磁芯5进一步包括四个中柱1、四个边柱2以及设置于所述中柱及所述边柱上方的磁芯盖和下方的磁芯盖,每个所述中柱1缠绕中柱原边绕组3和中柱副边绕组4;其中:在每个所述中柱1中,所述中柱原边绕组3被布置在两侧,对应的磁柱截面积保持不变,所述中柱原边绕组3产生的磁通是固定的;所述中柱副边绕组4共有四层,被置于所述中柱原边绕组3的中间位置,所述中柱副边绕组4对应的磁柱截面积比所述中柱原边绕组3对应的磁柱截面积缺少宽度w1×高度h1的部分面积,所述中柱副边绕组4对应产生的磁通比所述中柱原边绕组3对应产生的磁通少;所述中柱1之间均存在气隙6;通过控制所述中柱副边绕组4的绕线来改变磁柱截面积,以及,通过控制中柱副边绕组4与所述中柱原边绕组3的距离来改变漏感的大小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津大学,其通讯地址为:300072 天津市南开区卫津路92号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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