恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利电容器基板及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110913190.6，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器基板及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器基板及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电容器基板及其形成方法。该电容器基板包括：基板，具有金属核心层，第一电极，包括穿过金属核心层的第一贯穿通孔和连接至金属核心层的第一通孔；第二电极，包括穿过基板的第二贯穿通孔和连接至金属核心层的第二通孔；其中，金属核心层暴露于第一贯穿通孔处而不暴露于第二贯穿通孔处，金属核心层与第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层，金属核心层与第一通孔和第二通孔的交界面处具有第二金属层。本发明的上述技术方案至少能够至少可以减少电容器基板制程步骤。
本发明授权电容器基板及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器基板，其特征在于，包括：基板，具有金属核心层，第一贯穿通孔，穿过所述基板并用作电容器的第一电极；第一通孔，延伸至所述金属核心层并与所述第一贯穿通孔电连接；第二贯穿通孔，穿过所述基板并用作所述电容器的第二电极；第二通孔，延伸至所述金属核心层并与所述第二贯穿通孔电连接；其中，所述金属核心层暴露于所述第一贯穿通孔处而不暴露于所述第二贯穿通孔处，所述金属核心层与所述第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层，所述金属核心层与所述第一通孔和所述第二通孔的交界面处具有第二金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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