恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑心圃获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、封装结构、及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110735270.7，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权半导体结构、封装结构、及封装方法是由郑心圃;庄博尧;陈硕懋设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、封装结构、及封装方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构，包括一第一半导体装置和一第二半导体装置、一第一组导电连接器将第一半导体装置机械地和电性地接合到第二半导体装置、一第一底部填充剂位于第一半导体装置和第二半导体装置之间并围绕第一组导电连接器、一第一密封剂位于第一半导体装置和第二半导体装置和第一底部填充剂的至少侧壁、以及第二组导电连接器电性耦接到第一半导体装置，第二组导电连接器与第一组导电连接器位于第一半导体装置的相对侧上。本公开还提供一种封装结构及封装方法。
本发明授权半导体结构、封装结构、及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一第一半导体装置，包括：多个第一电容，形成在一第一基板上；以及一第一导电贯孔，延伸穿过该第一基板，该第一导电贯孔电性耦接到所述第一电容；一第二半导体装置，包括：多个第二电容，形成在一第二基板上；以及一第二导电贯孔，延伸穿过该第二基板，该第二导电贯孔电性耦接到所述第二电容；一第一组导电连接器，机械地和电性地接合该第一半导体装置和该第二半导体装置，该第一组导电连接器中的至少一个电性地耦接该第一导电贯孔和该第二导电贯孔；一第一底部填充剂，位于该第一半导体装置和该第二半导体装置之间，并且围绕该第一组导电连接器；一第一密封剂，位于该第一半导体装置和该第二半导体装置的至少侧壁和该第一底部填充剂上；以及一第二组导电连接器，电性耦接到该第一半导体装置，该第二组导电连接器与该第一组导电连接器位于该第一半导体装置的相对侧上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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