恭喜台湾积体电路制造股份有限公司刘旭伦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110030332.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体装置及其形成方法是由刘旭伦;吕文雄;郑明达;颜晨恩;杨政龙;黄冠智设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。公开了一种贯孔，包括在第一区域中具有第一开孔且在第二区域中具有第二开孔的侧壁，也公开了上述贯孔的形成方法。在一个实施例中，半导体装置包含：第一基板；以及贯孔，延伸穿过基板，基板包含：多个第一开孔，在基板的第一区域中邻近贯孔；以及多个第二开孔，在基板的第二区域中邻近贯孔，多个第一开孔的每个开孔具有第一深度，多个第二开孔的每个开孔具有第二深度，第一深度大于第二深度。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：一第一基板；以及一贯孔，延伸穿过该第一基板，该第一基板包括：多个第一开孔，在该第一基板的一第一区域中邻近该贯孔，所述第一开孔的每个开孔具有一第一深度；以及多个第二开孔，在该第一基板的一第二区域中邻近该贯孔，所述第二开孔的每个开孔具有一第二深度，其中该第二深度大于该第一深度，其中，该贯孔包括邻近该第一基板的一金属层，该金属层的厚度大于该第一深度且小于该第二深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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