恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴少均获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置与其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010927951.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置与其形成方法是由吴少均;吴宏基;李家庆;叶品萱;锺鸿钦;李显铭;陈建豪;潘昇良;林焕哲设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置与其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。
本发明授权半导体装置与其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成自一基板延伸的一半导体鳍状物；沉积一介电层于该半导体鳍状物上；沉积一第一功函数层于该介电层上；以及暴露该第一功函数层至一第一反应气体的介稳态等离子体、一生成气体的介稳态等离子体、与一第二反应气体的介稳态等离子体，其中该第一反应气体与该第二反应气体不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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