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龙图腾网恭喜株式会社日本显示器申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114258595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056742.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件是由花田明纮;海东拓生;津吹将志设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管TFT中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDDLightlyDopedDrain区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，所述氧化物半导体具有沟道区域、源极区域、漏极区域，和处于所述沟道区域与所述源极区域之间的过渡区域、以及处于所述沟道区域与所述漏极区域之间的过渡区域，所述过渡区域的电阻率比所述沟道区域的电阻率小、比所述源极区域或所述漏极区域的电阻率大，源电极与所述源极区域重叠地形成，漏电极与所述漏极区域重叠地形成，所述氧化物半导体的所述过渡区域的厚度大于所述沟道区域的厚度，在所述氧化物半导体中，于所述沟道区域的中央进行测定时，所述沟道区域的厚度为60nm以下，于所述过渡区域的中央进行测定时的所述过渡区域的厚度为85nm以上，覆盖所述氧化物半导体而形成有第1栅极绝缘膜，覆盖所述第1栅极绝缘膜而形成有第2栅极绝缘膜，在所述第2栅极绝缘膜中，在与所述过渡区域对应的部分形成有通孔，覆盖所述第2栅极绝缘膜和所述通孔而形成有栅极电极。

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