恭喜日立能源有限公司D·托雷辛获国家专利权
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龙图腾网恭喜日立能源有限公司申请的专利功率半导体模块与冷却器的装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114175243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080053828.7,技术领域涉及:H01L25/07;该发明授权功率半导体模块与冷却器的装置是由D·托雷辛;F·莫恩;B·阿戈斯蒂尼;T·格拉丁格;J·舒德勒设计研发完成,并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块与冷却器的装置在说明书摘要公布了:本发明涉及为功率半导体模块10设置冷却器12的方法,其中冷却结构32焊接到衬底14或基板15的平坦表面。本发明还涉及根据该方法形成的功率半导体模块10的装置。
本发明授权功率半导体模块与冷却器的装置在权利要求书中公布了:1.一种为功率半导体模块10设置冷却器12的方法,所述方法包括以下步骤:a提供所述功率半导体模块10,所述功率半导体模块10包括衬底14,所述衬底14具有用于承载至少一个电子电路18的第一衬底侧16并且具有与所述第一衬底侧16相反定位的第二衬底侧20,其中,所述功率半导体模块10包含特征a1和特征a2中的一个特征,其中,根据特征a1,所述第二衬底侧20具有平坦表面,并且适于与所述冷却器12接触,其中在所述第二衬底侧20处定位有冷却区域28,所述冷却区域28被连接区域30包围,以及其中,根据特征a2,所述功率半导体模块10包括基板15,其中所述基板15包括第一基板侧17和与所述第一基板侧17相反定位的第二基板侧19,其中所述第二衬底侧20连接到所述第一基板侧17,其中所述第二基板侧19具有平坦表面,并且适于与所述冷却器12接触,其中在所述第二基板侧19处定位有冷却区域28,所述冷却区域28被连接区域30包围;其中,如果实现所述特征a1,则所述方法包括以下步骤:b1在所述连接区域30处将所述冷却器12的第一壳体部件34连接到所述第二衬底侧20,其中所述第一壳体部件34选择性地包括用于接纳所述冷却区域28的至少一个开口36;c1将第二壳体部件42连接到所述第一壳体部件34,使得在所述第一壳体部件34与所述第二壳体部件42之间设置冷却通道,所述冷却通道用于为所述冷却区域28提供冷却流体;和d1在所述第二衬底侧20处将冷却结构32焊接到所述冷却区域28;或者,如果实现所述特征a2,则所述方法包括以下步骤:b2在所述连接区域30处将所述冷却器12的第一壳体部件34连接到所述第二基板侧19,其中所述第一壳体部件34选择性地包括用于接纳所述冷却区域28的至少一个开口36;c2将第二壳体部件42连接到所述第一壳体部件34,使得在所述第一壳体部件34与所述第二壳体部件42之间设置冷却通道,所述冷却通道用于为所述冷却区域28提供冷却流体;和d2在所述第二基板侧19处将冷却结构32焊接到所述冷却区域28,其中,所述冷却结构32被直接制造到所述第一壳体部件34中,以实现所述冷却结构32与所述第一壳体部件34的一体形式。
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