恭喜华东理工大学龚岩获国家专利权
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龙图腾网恭喜华东理工大学申请的专利一种单喷嘴气化炉及气化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111454754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010443907.0，技术领域涉及：C10J3/72；该发明授权一种单喷嘴气化炉及气化方法是由龚岩;郭庆华;于广锁;梁钦锋;王辅臣;陈雪莉;刘海峰;王亦飞;代正华;李伟锋;郭晓镭;许建良;王兴军;陆海峰;赵辉;刘霞;丁路;赵丽丽设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单喷嘴气化炉及气化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单喷嘴气化炉及气化方法。其包括炉体和位于炉体的顶部的喷嘴；炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；喷嘴的出口伸入炉膛内；气化炉还包括以气化炉中轴为轴心、绕设于炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；第一电磁线圈和第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；第一电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为0.25～0.5倍炉膛直筒段的直径；第二电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为1.5～2.5倍炉膛直筒段的直径。该单喷嘴气化炉克服了耐火砖等实体材料无法在高温下约束气化火焰的缺陷，从而提高了高温火焰区域单位体积内的反应强度；提高了碳转化率。
本发明授权一种单喷嘴气化炉及气化方法在权利要求书中公布了：1.一种单喷嘴气化炉，其特征在于，其包括炉体和位于所述炉体的顶部的喷嘴；所述炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，所述炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；所述喷嘴的出口伸入所述炉膛内；所述气化炉还包括以所述气化炉中轴为轴心、绕设于所述炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；所述第一电磁线圈和所述第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；所述第一电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的0.25～0.5倍；所述第二电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的1.5～2.5倍。
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