恭喜台湾积体电路制造股份有限公司苏庆忠获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911074862.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法是由苏庆忠;卢玠甫设计研发完成，并于2019-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。
本发明授权图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；光探测器，设置在所述半导体衬底内；刻蚀停止层，上覆在所述光探测器上；滤色片，上覆在所述刻蚀停止层上；介电栅格结构，环绕所述滤色片；以及电荷释放层，夹置在所述介电栅格结构与所述刻蚀停止层之间，其中所述电荷释放层环绕所述滤色片且包含导电材料，且其中所述电荷释放层直接接触所述滤色片；以及接地垫，位于所述半导体衬底上方并与所述介电栅格结构横向偏移，其中所述电荷释放层电耦合到所述接地垫。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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