恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司毕晓峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910627198.9，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构及其形成方法是由毕晓峰;纪世良;张海洋设计研发完成，并于2019-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有衬垫层；在所述衬垫层的表面形成若干相互分立的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层，在所述待刻蚀层内形成凹槽，并使所述第一掩膜结构形成第一初始待去除层；对所述第一初始待去除层进行改性处理工艺，形成第一待去除层；刻蚀去除所述衬垫层和所述第一待去除层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有衬垫层；在所述衬垫层的表面形成若干相互分立的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层，在所述待刻蚀层内形成凹槽，并使所述第一掩膜结构形成第一初始待去除层；对所述第一初始待去除层进行改性处理工艺以提高材料活性，形成第一待去除层；同时刻蚀去除所述衬垫层和所述第一待去除层。
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